Транзистор P-MOSFET Infineon BSS315PH6327XTSA1, SOT23, 60 шт.
2 100 ₴
- В наличии
- Код: TM072093
Транзистор P-MOSFET Infineon BSS315PH6327XTSA1, SOT23, 60 шт.В наличии
2 100 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор P-MOSFET Infineon BSS315PH6327XTSA1 — это униполярный компонент с каналом обогащения, предназначенный для поверхностного монтажа (SMD).## Канал и полярность
- Тип транзистора: P-MOSFET, униполярный
- Напряжение сток-исток: -30 В
- Ток стока: -1,5 А
- Рассеиваемая мощность: 0,5 Вт
- Корпус: PG-SOT23, монтаж SMD
- Количество в комплекте: 60 шт.
Электрические параметры
Транзистор работает при напряжении сток-исток до -30 В и выдерживает ток стока до -1,5 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 0,5 Вт, а сопротивление в состоянии проводимости равно 0,15 Ом. Напряжение затвор-исток ограничено ±20 В.
Технология и монтаж
Компонент изготовлен по технологии OptiMOS™ P2. Корпус PG-SOT23 и тип монтажа SMD.
Канал и полярность
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.5 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 150 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 60 шт. |
| Корпус | PG-SOT23 |
| Технология | OptiMOS™ P2 |
Информация для заказа
- Цена: 2 100 ₴