Транзистор N-MOSFET Infineon BSS306NH6327XTSA1, 30 В, 2,3 А, SOT23 (набор 50 шт.)
1 940 ₴
- В наличии
- Код: TM072091
Транзистор N-MOSFET Infineon BSS306NH6327XTSA1, 30 В, 2,3 А, SOT23 (набор 50 шт.)В наличии
1 940 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Набор из 50 транзисторов N-MOSFET от Infineon Technologies, модель BSS306NH6327XTSA1. Это униполярные полевые транзисторы с каналом обогащения, рассчитанные на напряжение 30 В и ток 2,3 А. Компоненты выполнены в компактном корпусе SOT23 для поверхностного монтажа (SMD).
- Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Напряжение сток-исток: 30 В
- Ток стока: 2,3 А
- Рассеиваемая мощность: 0,5 Вт
- Корпус: SOT23, монтаж SMD
- Технология: OptiMOS™ 2
- Количество в наборе: 50 шт.
Напряжение и ток
Транзистор работает с напряжением сток-исток до 30 В и выдерживает напряжение затвор-исток ±20 В. Максимальный ток стока составляет 2,3 А, а рассеиваемая мощность — 0,5 Вт.
Сопротивление в открытом состоянии
Сопротивление в открытом состоянии равно 93 мОм. Этот параметр определяет эффективность прохождения тока через транзистор в открытом режиме.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.5 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 30 В |
| Максимально допустимый ток стока | 2.3 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 93 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 50 шт. |
| Корпус | SOT23 |
| Технология | OptiMOS™ 2 |
Информация для заказа
- Цена: 1 940 ₴