Транзистор N-MOSFET Infineon BSS214NH6327XTSA1, 20В, 1,5А, SOT23 (60 шт.)
1 860 ₴
- В наличии
- Код: TM072089
Транзистор N-MOSFET Infineon BSS214NH6327XTSA1, 20В, 1,5А, SOT23 (60 шт.)В наличии
1 860 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Infineon BSS214NH6327XTSA1 — это униполярный компонент с каналом обогащения. Модель выполнена в корпусе SOT23 для поверхностного монтажа (SMD) и реализует технологию OptiMOS™ 2.
- Тип транзистора: N-MOSFET с каналом обогащения
- Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 В
- Максимально допустимый ток стока: 1,5 А
- Максимальная мощность рассеивания: 0,5 Вт
- Корпус: SOT23, монтаж SMD
- Количество в наборе: 60 шт.
Электрические параметры
Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 20 В, а максимально допустимый ток стока — 1,5 А. Максимальная мощность рассеивания ограничена значением 0,5 Вт.
Корпус и монтаж
Компонент изготовлен в стандартном корпусе SOT23. Тип монтажа — SMD (поверхностный). Компонент реализует технологию OptiMOS™ 2 от производителя Infineon Technologies.
Комплектация
Товар поставляется набором, содержащим 60 штук транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.5 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 12 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 20 В |
| Максимально допустимый ток стока | 1.5 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 250 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 60 шт. |
| Корпус | SOT23 |
| Технология | OptiMOS™ 2 |
Информация для заказа
- Цена: 1 860 ₴