Корзина
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- интернет магазин
Корзина

Транзистор N-MOSFET Infineon BSS205NH6327XTSA1, 20 В, 2,5 А, SOT23 (60 шт.)

2 040 ₴

  • В наличии
  • Код: TM072088
Транзистор N-MOSFET Infineon BSS205NH6327XTSA1, 20 В, 2,5 А, SOT23 (60 шт.)
Транзистор N-MOSFET Infineon BSS205NH6327XTSA1, 20 В, 2,5 А, SOT23 (60 шт.)В наличии
2 040 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

Транзистор N-MOSFET Infineon BSS205NH6327XTSA1 — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения. Комплект состоит из 60 штук в корпусе SOT23.

  • Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
  • Напряжение сток-исток: 20 В
  • Ток стока: 2,5 А
  • Рассеиваемая мощность: 0,5 Вт
  • Сопротивление в открытом состоянии: 85 мОм
  • Корпус: SOT23, монтаж SMD
  • Технология: OptiMOS™ 2
  • Количество в комплекте: 60 шт.

Электрические параметры

Транзистор работает с напряжением сток-исток до 20 В и выдерживает ток стока до 2,5 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 0,5 Вт, а сопротивление в открытом состоянии равно 85 мОм. Напряжение затвор-исток ограничено ±12 В, что определяет допустимые режимы управления.

Технология и монтаж

Устройство изготовлено по технологии OptiMOS™ 2, которая характеризуется низким сопротивлением в открытом состоянии. Корпус SOT23 предназначен для поверхностного монтажа (SMD).

Комплектация

В набор поставляется 60 транзисторов.

Характеристики
Основные
ПроизводительInfineon Technologies
Максимальная мощность рассеивания0.5 Вт
Максимально допустимое напряжение затвор-исток12 В
Максимально допустимое напряжение сток-исток20 В
Максимально допустимый ток стока2.5 А
Сопротивление в открытом состоянии (Rds)85 mOm
Тип монтажаПоверхностный
Тип транзистораПолевой
Пользовательские характеристики
Количество в комплекте60 шт.
КорпусSOT23
ТехнологияOptiMOS™ 2
Информация для заказа
  • Цена: 2 040 ₴