
Транзистор N-MOSFET Infineon BSS205NH6327XTSA1, 20 В, 2,5 А, SOT23 (60 шт.)
2 040 ₴
- В наличии
- Код: TM072088
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Infineon BSS205NH6327XTSA1 — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения. Комплект состоит из 60 штук в корпусе SOT23.
- Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Напряжение сток-исток: 20 В
- Ток стока: 2,5 А
- Рассеиваемая мощность: 0,5 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 85 мОм
- Корпус: SOT23, монтаж SMD
- Технология: OptiMOS™ 2
- Количество в комплекте: 60 шт.
Электрические параметры
Транзистор работает с напряжением сток-исток до 20 В и выдерживает ток стока до 2,5 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 0,5 Вт, а сопротивление в открытом состоянии равно 85 мОм. Напряжение затвор-исток ограничено ±12 В, что определяет допустимые режимы управления.
Технология и монтаж
Устройство изготовлено по технологии OptiMOS™ 2, которая характеризуется низким сопротивлением в открытом состоянии. Корпус SOT23 предназначен для поверхностного монтажа (SMD).
Комплектация
В набор поставляется 60 транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.5 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 12 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 20 В |
| Максимально допустимый ток стока | 2.5 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 85 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 60 шт. |
| Корпус | SOT23 |
| Технология | OptiMOS™ 2 |
Информация для заказа
- Цена: 2 040 ₴
