Транзистор N-MOSFET Infineon BSS159NH6327XTSA2, 60 В, 0,23 А, SOT23 (40 шт.)
1 970 ₴
- В наличии
- Код: TM072086
Транзистор N-MOSFET Infineon BSS159NH6327XTSA2, 60 В, 0,23 А, SOT23 (40 шт.)В наличии
1 970 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Infineon BSS159NH6327XTSA2 — это униполярный полупроводниковый прибор в корпусе SOT23 для поверхностного монтажа (SMD). Комплект состоит из 40 единиц.
- Тип: N-MOSFET, униполярный
- Напряжение сток-исток: 60 В
- Ток стока: 0,23 А
- Рассеиваемая мощность: 0,36 Вт
- Корпус: SOT23, монтаж SMD
- Комплект: 40 шт.
Технические параметры
Прибор имеет канал обедненного типа и работает с напряжением сток-исток до 60 В. Максимальный ток стока составляет 0,23 А, а рассеиваемая мощность — 0,36 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 8 Ом.
Корпус и монтаж
Транзистор выполнен в корпусе SOT23 для поверхностного монтажа (SMD). Производитель использует технологию SIPMOS™.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.36 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 60 В |
| Максимально допустимый ток стока | 0.23 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 8000 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 40 шт. |
| Корпус | SOT23 |
| Технология | SIPMOS™ |
Информация для заказа
- Цена: 1 970 ₴