Транзистор N-MOSFET Nexperia BSS138P,215, SOT23, набор 150 шт.

Набор из 150 транзисторов N-MOSFET Nexperia BSS138P,215 в корпусе SOT23. Компоненты предназначены для поверхностного монтажа (SMD) и работы в электронных схемах с напряжением до 60 В.

• Тип: N-MOSFET, униполярный
• Напряжение сток-исток: 60 В
• Ток стока: 0,36 А
• Рассеиваемая мощность: 0,35 Вт
• Корпус: SOT23 (TO236AB)
• Монтаж: SMD
• Количество в наборе: 150 шт.

Электрические параметры

Транзистор имеет напряжение сток-исток 60 В и ток стока 0,36 А. Рассеиваемая мощность составляет 0,35 Вт, что позволяет использовать компонент в схемах с умеренной нагрузкой. Сопротивление в открытом состоянии равно 1,6 Ом, что обеспечивает эффективное протекание тока.

Корпус и монтаж

Компонент выполнен в стандартном корпусе SOT23 (TO236AB). Это позволяет осуществлять поверхностный монтаж (SMD), что упрощает автоматизацию производства печатных плат. Униполярная структура и канал обогащения делают транзистор удобным для управления логическими сигналами.

Управление и характеристики канала

Транзистор имеет канал обогащения, что означает отсутствие тока при нулевом напряжении на затворе. Это обеспечивает надежное отключение нагрузки и удобное управление логическими сигналами. Максимальное напряжение затвор-исток составляет ±20 В, что определяет допустимые пределы управляющего сигнала.