Транзистор N-MOSFET ONSEMI BSS138LT1G, SOT23, 50 В, 0,2 А (комплект 80 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI BSS138LT1G в корпусе SOT23 — это униполярный компонент с каналом обогащения, предназначенный для поверхностного монтажа (SMD). Комплект состоит из 80 единиц.

• Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный
• Корпус: SOT23, монтаж SMD
• Максимальное напряжение сток-исток: 50 В
• Ток стока: 0,2 А
• Рассеиваемая мощность: 0,225 Вт
• Количество в комплекте: 80 шт.

Электрические параметры

Транзистор работает с напряжением сток-исток до 50 В и током стока 0,2 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 0,225 Вт, а допустимое напряжение затвор-исток — ±20 В. Сопротивление в открытом состоянии равно 3,5 Ом.

Корпус и монтаж

Компонент выполнен в стандартном корпусе SOT23. Монтаж выполняется методом SMD (поверхностный монтаж).

Комплектация

В упаковке находится 80 транзисторов BSS138LT1G. Маркировка производителя — BSS138LT1G. Тип транзистора — N-MOSFET. Полярность — униполярная. Тип канала — обогащенный.