Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated BSS123Q-13, SOT23, 100В, 170мА (70 шт.)

Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated BSS123Q-13 — это униполярный полевой транзистор с изолированным затвором в корпусе SOT23 для поверхностного монтажа (SMD). Комплект состоит из 70 единиц.

• Тип: N-MOSFET, униполярный
• Напряжение сток-исток: 100 В
• Ток стока: 170 мА (680 мА в импульсе)
• Мощность рассеивания: 0,3 Вт
• Корпус: SOT23, монтаж SMD
• Комплектация: 70 шт.

Электрические параметры

Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 100 В и постоянный ток стока 170 мА. В импульсном режиме допустимый ток возрастает до 680 мА. Мощность рассеивания составляет 0,3 Вт, а сопротивление в открытом состоянии — 6 Ом.

Корпус и монтаж

Компонент выполнен в корпусе SOT23 для поверхностного монтажа (SMD).

Назначение

Согласно данным производителя, транзистор предназначен для использования в автомобильной промышленности. Канал транзистора обогащенного типа. Напряжение затвор-исток составляет ±20 В.