Транзистор N-MOSFET Infineon BSS123NH6433XTMA1, 100 В, 0,15 А, SOT23 (комплект 100 шт.)
1 900 ₴
- В наличии
- Код: TM072072
Транзистор N-MOSFET Infineon BSS123NH6433XTMA1, 100 В, 0,15 А, SOT23 (комплект 100 шт.)В наличии
1 900 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Infineon BSS123NH6433XTMA1 — это униполярный компонент с каналом обогащения, предназначенный для работы в электронных схемах. Комплект состоит из 100 штук.
- Тип транзистора: N-MOSFET с каналом обогащения
- Максимальное напряжение сток-исток: 100 В
- Ток стока: 0,15 А (постоянный), 0,77 А (импульсный)
- Корпус SOT23 для SMD монтажа
- Комплект: 100 шт.
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 100 В и постоянный ток стока 0,15 А. В импульсном режиме допустимый ток возрастает до 0,77 А. Мощность рассеивания составляет 0,5 Вт, а сопротивление в открытом состоянии — 10 Ом.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе SOT23 с технологией монтажа SMD. Напряжение затвор-исток ограничено ±20 В, а заряд затвора составляет 0,6 нКл. Используется технология OptiMOS™.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.5 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 100 В |
| Максимально допустимый ток стока | 0.15 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 10000 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 100 шт. |
| Корпус | SOT23 |
| Технология | OptiMOS™ |
Информация для заказа
- Цена: 1 900 ₴