Транзистор N-MOSFET Infineon BSS123IXTSA1, 100 В, 0,15 А, SOT23 — набор 90 шт.

Транзистор N-MOSFET Infineon BSS123IXTSA1 — это униполярный компонент с каналом обогащения. Модель выполнена в корпусе SOT23 для поверхностного монтажа (SMD) и поставляется комплектом из 90 штук.

• Тип: N-MOSFET, униполярный
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 В
• Максимально допустимый ток стока: 0,15 А
• Максимальная мощность рассеивания: 0,5 Вт
• Корпус: SOT23, монтаж SMD
• Комплектация: 90 шт.

Электрические параметры

Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 100 В, что определяет границы рабочей нагрузки. Максимальная мощность рассеивания составляет 0,5 Вт. Максимально допустимый ток стока равен 0,15 А, а импульсный ток может достигать 0,77 А.

Технология и корпус

Компонент изготовлен по технологии OptiMOS™, что влияет на его внутреннюю структуру. Компонент имеет корпус SOT23 и тип монтажа SMD. В комплекте идет 90 единиц товара. Импульсный ток стока (Idm) составляет 0,77 А. Заряд затвора равен 0,63 нКл. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 10 Ом. Напряжение затвор-исток — ±20 В.