Транзистор N-MOSFET ONSEMI BSS123, 100В, 0,17А, SOT23 (BSS123-FAI) — набор 80 шт.

Транзистор N-MOSFET ONSEMI BSS123 — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения, который используется в электронных схемах. Комплект состоит из 80 единиц в корпусе SOT23 для поверхностного монтажа (SMD).

• Тип транзистора: N-MOSFET с каналом обогащения
• Максимальное напряжение сток-исток: 100 В
• Ток стока: 0,17 А
• Рассеиваемая мощность: 0,36 Вт
• Корпус: SOT23, монтаж SMD
• Комплект: 80 шт.

Электрические параметры

Транзистор работает с напряжением сток-исток до 100 В и током стока 0,17 А. Рассеиваемая мощность составляет 0,36 Вт, что определяет тепловой режим работы компонента. Сопротивление в открытом состоянии равно 12 Ом, а заряд затвора — 2,5 нКл.

Управление и состояние

Прибор является униполярным с каналом обогащения, что означает закрытое состояние транзистора при нулевом напряжении на затворе. Максимальное напряжение затвор-исток ограничено ±20 В. Имеет свойство 'logic level', что означает низкое напряжение открывания.

Монтаж и комплектация

Компоненты выполнены в стандартном корпусе SOT23, что обеспечивает компактность узла. Технология монтажа SMD предусматривает автоматизированную установку на печатные платы. В комплекте поставляется 80 транзисторов.