Транзистор N-MOSFET Infineon BSR802NL6327HTSA1, 20В, 3,7А, SC59 (30 шт.)
2 320 ₴
- В наличии
- Код: TM035152
Транзистор N-MOSFET Infineon BSR802NL6327HTSA1 — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения, предназначенный для работы в электронных схемах. Комплект состоит из 30 единиц в корпусе SC59 для поверхностного монтажа (SMD).
- Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Максимальное напряжение сток-исток: 20 В
- Максимальный ток стока: 3,7 А
- Рассеиваемая мощность: 0,5 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 32 мОм
- Корпус: SC59, монтаж SMD
- Технология: OptiMOS™ 2
- Количество в комплекте: 30 шт.
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 20 В и ток стока 3,7 А. Рассеиваемая мощность составляет 0,5 Вт, что определяет тепловой режим работы компонента. Напряжение затвор-исток ограничено значением ±8 В.
Сопротивление в открытом состоянии
Сопротивление в открытом состоянии равно 32 мОм. Этот параметр определяет потери энергии при прохождении тока через открытый транзистор.
Корпус и монтаж
Компонент изготовлен по технологии OptiMOS™ 2. Физический размер соответствует стандарту корпуса SC59, который является компактным вариантом для SMD-монтажа. Такое исполнение позволяет размещать транзистор на печатных платах с высокой плотностью компонентов.
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.5 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 8 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 20 В |
| Максимально допустимый ток стока | 3.7 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 32 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | SC59 |
| Технология | OptiMOS™ 2 |
- Цена: 2 320 ₴