Транзистор N-MOSFET Infineon BSP324H6327XTSA1, 400 В, 0,17 А, SOT223 (30 шт.)

Транзистор N-MOSFET Infineon BSP324H6327XTSA1 — это униполярный компонент с каналом обогащения, предназначенный для работы в электронных схемах. Комплект из 30 штук обеспечивает запас для серийного производства или ремонта оборудования. Такое количество удобно для прототипирования и обеспечения запасных частей для мастерской.

• Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Максимальное напряжение сток-исток: 400 В
• Ток стока: 0,17 А
• Мощность рассеивания: 1,8 Вт
• Корпус: SOT223, монтаж SMD
• Комплектация: 30 штук в наборе

Электрические характеристики

Транзистор работает с напряжением сток-исток до 400 В и током стока 0,17 А. Мощность рассеивания составляет 1,8 Вт, что позволяет использовать компонент в схемах с умеренной нагрузкой. Сопротивление в открытом состоянии равно 25 Ом, что влияет на эффективность переключения.

Корпус и монтаж

Компонент выполнен в корпусе SOT223, что обеспечивает удобство для поверхностного монтажа (SMD). Такой формат корпуса позволяет компактно размещать транзистор на печатных платах, экономя место.

Технология SIPMOS™

Компонент изготовлен по технологии SIPMOS™, что обеспечивает стабильную работу и эффективность переключения. Максимальное напряжение затвор-исток составляет ±20 В, что определяет требования к управляющим сигналам в схеме. Канал транзистора является обогащаемым, что обеспечивает надежное выключение при отсутствии напряжения на затворе.