Транзистор P-MOSFET Infineon BSP315PH6327XTSA1, -60В, -1,17А, SOT223 (набор 30 шт.)
2 710 ₴
- В наличии
- Код: TM018069
Транзистор P-MOSFET Infineon BSP315PH6327XTSA1, -60В, -1,17А, SOT223 (набор 30 шт.)В наличии
2 710 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор P-MOSFET Infineon BSP315PH6327XTSA1 — это униполярный компонент с каналом обогащения. Модель выполнена в корпусе PG-SOT223 с технологией SIPMOS™ и поставляется набором из 30 штук для удобства монтажа.
- Тип транзистора: P-MOSFET, униполярный
- Напряжение сток-исток: -60 В
- Ток стока: -1,17 А
- Рассеиваемая мощность: 1,8 Вт
- Корпус: PG-SOT223, монтаж SMD
- Набор: 30 шт.
Электрические параметры
Транзистор работает с напряжением сток-исток до -60 В и выдерживает ток стока -1,17 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 1,8 Вт. Напряжение затвор-исток ограничено ±20 В, а сопротивление в открытом состоянии равно 0,8 Ом.
Корпус и монтаж
Компонент изготовлен в корпусе PG-SOT223. Монтаж осуществляется методом SMD. Используется технология SIPMOS™.
Комплектация
Упаковка содержит 30 транзисторов. Такой набор.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 1.8 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 800 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | PG-SOT223 |
| Технология | SIPMOS™ |
Информация для заказа
- Цена: 2 710 ₴