Транзистор N-MOSFET Infineon BSP296NH6327XTSA1, 100 В, 1,2 А, SOT223 (30 шт.)

Транзистор N-MOSFET Infineon BSP296NH6327XTSA1 — это униполярный компонент с каналом обогащения, предназначенный для работы в электронных схемах. Пакет содержит 30 единиц в корпусе SOT223.

• Тип транзистора: N-MOSFET с каналом обогащения
• Максимальное напряжение сток-исток: 100 В
• Ток стока: 1,2 А
• Рассеиваемая мощность: 1,8 Вт
• Корпус: SOT223 для SMD монтажа
• Количество в комплекте: 30 шт.

Электрические параметры

Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток 100 В и максимальный ток стока 1,2 А. Рассеиваемая мощность составляет 1,8 Вт, что определяет тепловой режим работы компонента. Сопротивление в открытом состоянии равно 0,8 Ом, что определяет потери мощности при открытом состоянии.

Корпус и технология

Компонент изготовлен по технологии OptiMOS™, которая является фирменным решением Infineon. Корпус SOT223 предназначен для поверхностного монтажа (SMD). Напряжение затвор-исток ограничено ±20 В, что является предельным значением для управляющего входа.