Транзистор N-MOSFET Infineon BSP295H6327XTSA1, 60В, 1,8А, SOT223 (20 шт.)
2 210 ₴
- В наличии
- Код: TM035146
Транзистор N-MOSFET Infineon BSP295H6327XTSA1, 60В, 1,8А, SOT223 (20 шт.)В наличии
2 210 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Infineon BSP295H6327XTSA1 — это униполярный компонент в корпусе SOT223 для поверхностного монтажа (SMD). Комплект состоит из 20 единиц.
- Тип: N-MOSFET, униполярный
- Напряжение сток-исток: 60 В
- Ток стока: 1,8 А
- Мощность рассеивания: 1,8 Вт
- Корпус: SOT223, монтаж SMD
- Комплектация: 20 шт.
Электрические параметры
Транзистор работает с напряжением сток-исток до 60 В и выдерживает ток стока 1,8 А. Мощность рассеивания составляет 1,8 Вт, а сопротивление в открытом состоянии равно 0,3 Ом. Напряжение затвор-исток ограничено ±20 В.
Канал и полярность
Транзистор имеет обогащенный канал и является униполярным устройством типа N-MOSFET.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 1.8 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 60 В |
| Максимально допустимый ток стока | 1.8 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 300 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | SOT223 |
| Технология | SIPMOS™ |
Информация для заказа
- Цена: 2 210 ₴