Транзистор P-MOSFET Infineon BSP170PH6327XTSA1, -60В, -1,9А, PG-SOT223 (набор 20 шт.)

Транзистор P-MOSFET Infineon BSP170PH6327XTSA1 — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения, предназначенный для работы в электронных схемах. Модель выполнена в корпусе PG-SOT223 для поверхностного монтажа (SMD) и реализует технологию SIPMOS™.

• Тип: P-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Максимальное напряжение сток-исток: -60 В
• Ток стока: -1,9 А
• Сопротивление в открытом состоянии: 0,3 Ом
• Рассеиваемая мощность: 1,8 Вт
• Корпус: PG-SOT223, монтаж SMD
• Технология: SIPMOS™
• Количество в комплекте: 20 шт.

Электрические параметры и мощность

Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток -60 В и ток стока -1,9 А. Сопротивление в открытом состоянии составляет 0,3 Ом, что влияет на тепловые потери при работе. Максимальная рассеиваемая мощность равна 1,8 Вт, а допустимое напряжение затвор-исток — ±20 В.

Корпус PG-SOT223 и монтаж SMD

Компонент изготовлен в корпусе PG-SOT223, который подходит для технологии поверхностного монтажа (SMD). Такое исполнение позволяет компактно размещать элементы на печатных платах. Использование технологии SIPMOS™ определяет специфику конструкции канала.

Комплектация набора

Товар поставляется набором из 20 транзисторов. Такое количество подходит для обеспечения потребностей серийного производства или сборки устройств, где используется данная модель.