Транзистор N-MOSFET Infineon BSP135H6327XTSA1, 600 В, 0,12 А, SOT223 (набор 20 шт.)

Транзистор N-MOSFET Infineon BSP135H6327XTSA1 — это униполярный компонент с каналом обеднения, предназначенный для работы при напряжении до 600 В. Комплект из 20 штук в корпусе SOT223 удобен для серийного монтажа и прототипирования электронных устройств.

• Напряжение сток-исток: 600 В
• Ток стока: 0,12 А
• Рассеиваемая мощность: 1,8 Вт
• Корпус: SOT223, монтаж SMD
• Технология: SIPMOS™
• Сопротивление в состоянии проводимости: 60 Ом
• Напряжение затвор-исток: ±20 В
• Количество в комплекте: 20 шт.

Высокое напряжение и надежность

Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток 600 В, что позволяет использовать его в цепях с высоким потенциалом. Максимальный ток стока составляет 0,12 А, а рассеиваемая мощность — 1,8 Вт. Это обеспечивает стабильную работу в условиях ограниченного тока и нагрузки.

Технология SIPMOS™ и сопротивление

Компонент изготовлен по технологии SIPMOS™, что гарантирует высокие коммутационные характеристики. Сопротивление в состоянии проводимости равно 60 Ом, что влияет на тепловые потери при открытом канале. Максимальное напряжение затвор-исток составляет ±20 В, что определяет требования к управляющим сигналам.

Удобный монтаж SMD

Корпус SOT223 и тип монтажа SMD позволяют автоматизировать процесс установки на печатные платы. Компактные размеры экономят место на плате, что важно для компактных устройств. Наличие 20 транзисторов в наборе упрощает сборку партии изделий.