Транзистор N-MOSFET Infineon BSP129H6327XTSA1, 240 В, 50 мА, SOT223 (30 шт.)
2 660 ₴
- В наличии
- Код: TM018067
Транзистор N-MOSFET Infineon BSP129H6327XTSA1 — это униполярный компонент с обедненным каналом, изготовленный по технологии SIPMOS™, предназначенный для работы в электронных схемах с напряжением до 240 В. Комплект из 30 штук в корпусе SOT223 удобен для массового монтажа и прототипирования устройств.
- Напряжение сток-исток: 240 В
- Ток стока: 50 мА
- Рассеиваемая мощность: 1,8 Вт
- Корпус: SOT223 (SMD монтаж)
- Технология: SIPMOS™
- Количество в комплекте: 30 шт.
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение между стоком и истоком 240 В, что позволяет использовать его в сетевых и силовых цепях. Максимальный ток стока составляет 50 мА, а рассеиваемая мощность — 1,8 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 6,5 Ом.
Технология и монтаж
Компонент изготовлен по технологии SIPMOS™. Корпус SOT223 предназначен для поверхностного монтажа (SMD). Максимальное напряжение на затворе составляет ±20 В, что важно учитывать при проектировании управляющих схем.
Комплектация
В комплекте поставляется 30 транзисторов. Такое количество позволяет выполнить несколько проектов или заменить компоненты в нескольких устройствах без дополнительных закупок.
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 1.8 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 240 В |
| Максимально допустимый ток стока | 0.05 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 6500 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | SOT223 |
| Технология | SIPMOS™ |
- Цена: 2 660 ₴