Транзистор N-MOSFET Infineon BSP125H6327XTSA1, 600В, 0,12А, SOT223 (30 шт.)

Транзистор N-MOSFET Infineon BSP125H6327XTSA1 — это униполярный компонент с каналом обогащения, имеющий максимальное напряжение сток-исток 600 В. Комплект из 30 штук в корпусе SOT223 обеспечивает удобство для массового монтажа и прототипирования электронных схем.

• Напряжение сток-исток до 600 В
• Ток стока 0,12 А
• Мощность рассеивания 1,8 Вт
• Корпус SOT223 для монтажа SMD
• Комплект из 30 транзисторов
• Сопротивление в состоянии проводимости 45 Ом

Технические параметры

Максимальное напряжение сток-исток составляет 600 В, а напряжение затвор-исток — ±20 В. Ток стока равен 0,12 А, что определяет рабочий режим компонента.

Корпус и монтаж

Компонент выполнен в корпусе SOT223 с технологией монтажа SMD. Такое исполнение обеспечивает компактное размещение на печатной плате.

Мощность и сопротивление

Мощность рассеивания составляет 1,8 Вт. Сопротивление в состоянии проводимости равно 45 Ом, что влияет на тепловые характеристики при работе с током стока 0,12 А.

Комплект из 30 транзисторов Infineon BSP125H6327XTSA1 в корпусе SOT223 предназначен для использования в электронных устройствах, где важны параметры напряжения и компактность.