Транзистор P-MOSFET Infineon BSO613SPVGXUMA1, -60В, -3,44А, SO8, набор 20 шт.

P-канальный MOSFET-транзистор Infineon BSO613SPVGXUMA1 в корпусе SO8 для поверхностного монтажа (SMD). Этот набор из 20 штук предназначен для инженеров и радиолюбителей, которым нужны надежные компоненты для схем управления питанием.

• Ток стока -3,44 А и импульсный ток -13,8 А
• Напряжение сток-исток -60 В
• Сопротивление в открытом состоянии 0,13 Ом
• Мощность рассеивания 2,5 Вт
• Корпус SO8, монтаж SMD
• Набор из 20 транзисторов

Технические параметры и надежность

Транзистор работает с напряжением сток-исток до -60 В и постоянным током стока -3,44 А. В импульсном режиме допустимый ток возрастает до -13,8 А, что позволяет использовать компонент в динамических нагрузках. Мощность рассеивания составляет 2,5 Вт, а сопротивление в открытом состоянии — 0,13 Ом, что обеспечивает эффективную работу с минимальными потерями энергии.

Технология SIPMOS™ и монтаж

Компонент изготовлен по технологии SIPMOS™, что гарантирует стабильные характеристики и низкие потери мощности. Корпус SO8 и тип монтажа SMD позволяют компактно размещать транзистор на печатных платах, экономя место и упрощая автоматизированный монтаж.

Комплектация

В упаковке находится 20 транзисторов, что удобно для прототипирования или серийного производства небольших партий оборудования.