Транзистор N-MOSFET Infineon BSO220N03MDGXUMA1, 30 В, 7,7 А, PG-DSO-8 (20 шт.)
1 890 ₴
- В наличии
- Код: TM072056
Транзистор N-MOSFET Infineon BSO220N03MDGXUMA1, 30 В, 7,7 А, PG-DSO-8 (20 шт.)В наличии
1 890 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Infineon BSO220N03MDGXUMA1 — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения, предназначенный для работы в электронных схемах. Комплект состоит из 20 штук в корпусе PG-DSO-8 для поверхностного монтажа (SMD).
- Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный
- Максимальное напряжение сток-исток: 30 В
- Ток стока: 7,7 А
- Рассеиваемая мощность: 1,56 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 22 мОм
- Корпус: PG-DSO-8 (SMD)
- Технология: OptiMOS™ 3
- Количество в комплекте: 20 шт.
Тип и канал
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 30 В и ток стока 7,7 А. Рассеиваемая мощность составляет 1,56 Вт, а сопротивление в открытом состоянии — 22 мОм. Максимальное напряжение затвор-исток равно ±20 В.
Корпус и технология
Компонент изготовлен по технологии OptiMOS™ 3, что обеспечивает низкое сопротивление проводимости. Корпус PG-DSO-8 позволяет использовать транзистор в устройствах с ограниченным монтажным пространством.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 1.56 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 30 В |
| Максимально допустимый ток стока | 7.7 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 22 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | PG-DSO-8 |
| Технология | OptiMOS™ 3 |
Информация для заказа
- Цена: 1 890 ₴