
Транзистор N-MOSFET Nexperia BSH111BKR, 55 В, 0,13 А, SOT23 (комплект 150 шт.)
1 960 ₴
- В наличии
- Код: TM072052
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Nexperia BSH111BKR — это униполярный полевой транзистор с каналом n-типа. Комплект состоит из 150 штук в корпусе SOT23 (TO236AB) для поверхностного монтажа (SMD).
- Тип: N-MOSFET, униполярный, с каналом обогащения
- Максимальное напряжение сток-исток: 55 В
- Ток стока: 0,13 А
- Рассеиваемая мощность: 364 мВт
- Сопротивление в открытом состоянии: 8,1 Ом
- Корпус: SOT23 (TO236AB), монтаж SMD
- Количество в комплекте: 150 шт.
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 55 В и постоянный ток стока 0,13 А. Рассеиваемая мощность составляет 364 мВт, что определяет тепловой режим работы компонента. Сопротивление в открытом состоянии равно 8,1 Ом.
Управление и монтаж
Устройство является униполярным с каналом обогащения, что означает отсутствие тока стока при нулевом напряжении на затворе. Максимальное напряжение затвор-исток ограничено ±10 В. Заряд затвора составляет 0,5 нКл. Компонент выполнен в корпусе SOT23 (TO236AB) для технологии поверхностного монтажа (SMD).
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 0.364 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 10 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 55 В |
| Максимально допустимый ток стока | 0.13 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 8100 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 150 шт. |
| Корпус | SOT23, TO236AB |
| Производитель | NEXPERIA |
Информация для заказа
- Цена: 1 960 ₴
