Транзистор P-MOSFET Infineon BSD223PH6327XTSA1, SMD, PG-SOT-363, 50 шт.
1 950 ₴
- В наличии
- Код: TM072051
Транзистор P-MOSFET Infineon BSD223PH6327XTSA1, SMD, PG-SOT-363, 50 шт.В наличии
1 950 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор P-MOSFET от бренда Infineon Technologies, модель BSD223PH6327XTSA1. Это униполярный компонент с каналом обогащения, предназначенный для поверхностного монтажа (SMD) в корпусе PG-SOT-363. Комплект состоит из 50 единиц.
- Тип транзистора: P-MOSFET, униполярный
- Напряжение сток-исток: -20 В
- Ток стока: -0,39 А
- Мощность рассеивания: 0,25 Вт
- Корпус: PG-SOT-363, монтаж SMD
- Комплектация: 50 шт.
Технические параметры
Транзистор работает при напряжении сток-исток до -20 В и максимальном токе стока -0,39 А. Мощность рассеивания составляет 0,25 Вт. Сопротивление в состоянии проводности равно 1,2 Ом, а допустимое напряжение затвор-исток — ±12 В.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.25 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 12 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 1200 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 50 шт. |
| Корпус | PG-SOT-363 |
| Технология | OptiMOS™ P |
Информация для заказа
- Цена: 1 950 ₴