Корзина
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- интернет магазин
Корзина

Транзистор N-MOSFET Infineon BSC340N08NS3GATMA1, 80 В, 23 А, корпус PG-TDSON-8 (30 шт.)

2 710 ₴

  • В наличии
  • Код: TM018064
Транзистор N-MOSFET Infineon BSC340N08NS3GATMA1, 80 В, 23 А, корпус PG-TDSON-8 (30 шт.)
Транзистор N-MOSFET Infineon BSC340N08NS3GATMA1, 80 В, 23 А, корпус PG-TDSON-8 (30 шт.)В наличии
2 710 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

Транзистор N-MOSFET Infineon BSC340N08NS3GATMA1 — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения. Модель выполнена в корпусе PG-TDSON-8 для поверхностного монтажа (SMD) и реализует технологию OptiMOS™ 3.

  • Ток стока: 23 А
  • Напряжение сток-исток: 80 В
  • Рассеиваемая мощность: 32 Вт
  • Сопротивление в состоянии проводимости: 34 мОм
  • Корпус: PG-TDSON-8 (SMD)
  • Технология: OptiMOS™ 3
  • Количество в комплекте: 30 шт.

Электрические параметры

Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток 80 В и ток стока 23 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 32 Вт. Сопротивление в состоянии проводимости равно 34 мОм.

Технология и монтаж

Изделие изготовлено по технологии OptiMOS™ 3. Корпус PG-TDSON-8 и тип монтажа SMD предназначены для поверхностного монтажа.

Комплектация

Товар поставляется набором из 30 транзисторов.

Характеристики
Основные
ПроизводительInfineon Technologies
Максимальная мощность рассеивания32 Вт
Максимально допустимое напряжение затвор-исток20 В
Максимально допустимое напряжение сток-исток80 В
Максимально допустимый ток стока23 А
Сопротивление в открытом состоянии (Rds)34 mOm
Тип монтажаПоверхностный
Тип транзистораПолевой
Пользовательские характеристики
Количество в комплекте30 шт.
КорпусPG-TDSON-8
ТехнологияOptiMOS™ 3
Информация для заказа
  • Цена: 2 710 ₴