
Транзистор N-MOSFET Infineon BSC340N08NS3GATMA1, 80 В, 23 А, корпус PG-TDSON-8 (30 шт.)
2 710 ₴
- В наличии
- Код: TM018064
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Infineon BSC340N08NS3GATMA1 — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения. Модель выполнена в корпусе PG-TDSON-8 для поверхностного монтажа (SMD) и реализует технологию OptiMOS™ 3.
- Ток стока: 23 А
- Напряжение сток-исток: 80 В
- Рассеиваемая мощность: 32 Вт
- Сопротивление в состоянии проводимости: 34 мОм
- Корпус: PG-TDSON-8 (SMD)
- Технология: OptiMOS™ 3
- Количество в комплекте: 30 шт.
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток 80 В и ток стока 23 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 32 Вт. Сопротивление в состоянии проводимости равно 34 мОм.
Технология и монтаж
Изделие изготовлено по технологии OptiMOS™ 3. Корпус PG-TDSON-8 и тип монтажа SMD предназначены для поверхностного монтажа.
Комплектация
Товар поставляется набором из 30 транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 32 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 80 В |
| Максимально допустимый ток стока | 23 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 34 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | PG-TDSON-8 |
| Технология | OptiMOS™ 3 |
Информация для заказа
- Цена: 2 710 ₴
