Транзистор N-MOSFET Infineon BSC100N06LS3GATMA1, 60 В, 36 А, 50 Вт, SMD (комплект 20 шт.)

Транзистор N-MOSFET Infineon BSC100N06LS3GATMA1 — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения, предназначенный для коммутации тока до 36 А при напряжении 60 В. Компонент изготовлен по технологии OptiMOS™ 3.

• Ток стока 36 А, импульсный ток 200 А
• Напряжение сток-исток 60 В
• Рассеиваемая мощность 50 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии 10 мОм
• Корпус PG-TDSON-8, монтаж SMD
• Комплект: 20 шт.

Напряжение и ток

Максимальное напряжение между стоком и истоком составляет 60 В, а постоянный ток стока — 36 А. В импульсном режиме прибор выдерживает ток до 200 А. Рассеиваемая мощность равна 50 Вт, что определяет тепловой режим работы компонента.

Управление затвором

Транзистор имеет логический уровень управления (logic level). Напряжение затвор-исток ограничено ±20 В. Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) составляет 10 мОм. Общий заряд затвора — 45 нКл, что влияет на скорость переключения.

Корпус и монтаж

Товар поставляется набором из 20 транзисторов.