Транзистор N-MOSFET Infineon BSC093N04LSGATMA1, 40В, 40А, 35Вт, PG-TDSON-8 (30 шт.)
1 970 ₴
- В наличии
- Код: TM072049
Транзистор N-MOSFET Infineon BSC093N04LSGATMA1, 40В, 40А, 35Вт, PG-TDSON-8 (30 шт.)В наличии
1 970 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Infineon BSC093N04LSGATMA1 — это униполярный компонент с каналом обогащения. Товар поставляется комплектом из 30 штук в корпусе PG-TDSON-8.
- Ток стока 40 А
- Напряжение сток-исток 40 В
- Рассеиваемая мощность 35 Вт
- Сопротивление в состоянии проводности 9,3 мОм
- Корпус PG-TDSON-8 для SMD монтажа
- Комплект из 30 транзисторов
Электрические параметры
Транзистор работает с напряжением сток-исток 40 В и выдерживает постоянный ток стока 40 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 35 Вт, что определяет тепловой режим работы компонента. Напряжение затвор-исток ограничено ±20 В.
Сопротивление и технология
Компонент изготовлен по технологии OptiMOS™ 3. Сопротивление в состоянии проводности равно 9,3 мОм.
Монтаж и корпус
Транзистор имеет корпус PG-TDSON-8, предназначенный для поверхностного монтажа (SMD). Комплект содержит 30 транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 35 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 40 В |
| Максимально допустимый ток стока | 40 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 9.3 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | PG-TDSON-8 |
| Технология | OptiMOS™ 3 |
Информация для заказа
- Цена: 1 970 ₴