Транзистор N-MOSFET Infineon BSC0906NSATMA1, 30 В, 53 А, 30 Вт, PG-TDSON-8 (30 шт.)
1 860 ₴
- В наличии
- Код: TM072047
Транзистор N-MOSFET Infineon BSC0906NSATMA1, 30 В, 53 А, 30 Вт, PG-TDSON-8 (30 шт.)В наличии
1 860 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Infineon BSC0906NSATMA1 — это униполярный компонент с каналом обогащения, предназначенный для работы в электронных схемах. Модель выполнена в корпусе PG-TDSON-8 для поверхностного монтажа (SMD) и поставляется комплектом из 30 штук.
- Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 В
- Максимально допустимый ток стока: 53 А
- Максимальная мощность рассеивания: 30 Вт
- Корпус: PG-TDSON-8 (SMD)
- Технология: OptiMOS™
- Комплектация: 30 шт.
Электрические параметры
Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 30 В. Максимально допустимый ток стока достигает 53 А. Максимальная мощность рассеивания ограничена 30 Вт.
Тип и канал транзистора
Транзистор является униполярным (полевым) прибором типа N-MOSFET. Канал транзистора является обогащенным, что определяет принцип его работы в схемах.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 30 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 30 В |
| Максимально допустимый ток стока | 53 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 4.5 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | PG-TDSON-8 |
| Технология | OptiMOS™ |
Информация для заказа
- Цена: 1 860 ₴