Транзистор N-MOSFET Infineon BSC0902NSIATMA1, 30В, 89А, PG-TDSON-8 (20 шт.)
2 210 ₴
- В наличии
- Код: TM035144
Транзистор N-MOSFET Infineon BSC0902NSIATMA1, 30В, 89А, PG-TDSON-8 (20 шт.)В наличии
2 210 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET от бренда Infineon Technologies, модель BSC0902NSIATMA1. Это униполярный компонент с каналом обогащения. В комплекте поставляется 20 единиц.
- Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный
- Максимальное напряжение сток-исток: 30 В
- Ток стока: 89 А
- Рассеиваемая мощность: 48 Вт
- Корпус: PG-TDSON-8, монтаж SMD
- Сопротивление в открытом состоянии: 2,8 мОм
- Количество в комплекте: 20 шт.
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 30 В и ток стока 89 А. Рассеиваемая мощность составляет 48 Вт. Допустимое напряжение затвор-исток находится в пределах ±20 В. Сопротивление в открытом состоянии равно 2,8 мОм.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе PG-TDSON-8. Технология изготовления — OptiMOS™. Монтаж осуществляется методом SMD.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 48 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 30 В |
| Максимально допустимый ток стока | 89 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 2.8 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | PG-TDSON-8 |
| Технология | OptiMOS™ |
Информация для заказа
- Цена: 2 210 ₴