Транзистор N-MOSFET Infineon BSC035N10NS5ATMA1, 100 В, 100 А, 156 Вт, PG-TDSON-8 (10 шт.)
2 410 ₴
- В наличии
- Код: TM072046
Транзистор N-MOSFET Infineon BSC035N10NS5ATMA1, 100 В, 100 А, 156 Вт, PG-TDSON-8 (10 шт.)В наличии
2 410 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Infineon BSC035N10NS5ATMA1 — это силовой полупроводниковый прибор в корпусе PG-TDSON-8 для поверхностного монтажа (SMD). Комплект состоит из 10 единиц.
- Ток стока: 100 А
- Напряжение сток-исток: 100 В
- Мощность рассеивания: 156 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 3,5 мОм
- Корпус: PG-TDSON-8 (SMD)
- Технология: OptiMOS™ 5
- Количество в комплекте: 10 шт.
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток 100 В и ток стока 100 А. Мощность рассеивания составляет 156 Вт, а сопротивление в открытом состоянии — 3,5 мОм. Напряжение затвор-исток допускает значения ±20 В. Канал обогащенного типа.
Корпус и технология
Прибор изготовлен по технологии OptiMOS™ 5. Корпус PG-TDSON-8 предназначен для поверхностного монтажа (SMD).
Комплектация
В упаковке находится 10 транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 156 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 100 В |
| Максимально допустимый ток стока | 100 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 3.5 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | PG-TDSON-8 |
| Технология | OptiMOS™ 5 |
Информация для заказа
- Цена: 2 410 ₴