Транзистор P-MOSFET Infineon BSC030P03NS3GAUMA1, -30В, -100А, PG-TDSON-8 (10 шт.)
2 480 ₴
- В наличии
- Код: TM072044
Транзистор P-MOSFET Infineon BSC030P03NS3GAUMA1, -30В, -100А, PG-TDSON-8 (10 шт.)В наличии
2 480 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор P-MOSFET Infineon BSC030P03NS3GAUMA1 — это униполярный компонент с каналом обогащения, предназначенный для работы при напряжении -30 В и токе до -100 А. Пакет содержит 10 единиц в корпусе PG-TDSON-8 с технологией OptiMOS™ P3.
- Тип: P-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Напряжение сток-исток: -30 В
- Ток стока: -100 А
- Рассеиваемая мощность: 125 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 3 мОм
- Корпус: PG-TDSON-8, монтаж SMD
- Количество в комплекте: 10 шт.
Электрические параметры
Транзистор работает с напряжением сток-исток -30 В и выдерживает ток стока -100 А. Сопротивление в открытом состоянии составляет 3 мОм. Максимальная рассеиваемая мощность равна 125 Вт, а допустимое напряжение затвор-исток — ±25 В.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе PG-TDSON-8 с технологией OptiMOS™ P3. Монтаж осуществляется методом SMD (поверхностный монтаж).
Комплектация
В комплекте поставляется 10 транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 125 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 25 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 3 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | PG-TDSON-8 |
| Технология | OptiMOS™ P3 |
Информация для заказа
- Цена: 2 480 ₴