Транзистор N-MOSFET Infineon BSC028N06NSATMA1, 60В, 100А, PG-TDSON-8 (10 шт.)
2 000 ₴
- В наличии
- Код: TM072043
Транзистор N-MOSFET Infineon BSC028N06NSATMA1, 60В, 100А, PG-TDSON-8 (10 шт.)В наличии
2 000 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Набор из 10 полевых транзисторов Infineon BSC028N06NSATMA1 типа N-MOSFET в корпусе PG-TDSON-8. Компоненты рассчитаны на напряжение 60 В и ток 100 А.
- Тип: N-MOSFET, канал обогащения
- Напряжение сток-исток: 60 В
- Ток стока: 100 А
- Сопротивление в открытом состоянии: 2,8 мОм
- Корпус: PG-TDSON-8 (SMD)
- Количество в наборе: 10 шт.
Электрические параметры
Транзисторы имеют максимальное напряжение сток-исток 60 В и постоянный ток стока 100 А. Сопротивление в открытом состоянии составляет 2,8 мОм. Максимальная рассеиваемая мощность равна 83 Вт.
Корпус и монтаж
Компоненты выполнены в поверхностном корпусе PG-TDSON-8 для монтажа SMD. Технология OptiMOS™ 3 от производителя Infineon Technologies.
Комплектация
В упаковке содержится 10 единиц транзисторов. Транзисторы являются униполярными с каналом обогащения. Максимальное напряжение затвор-исток составляет ±20 В.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 83 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 60 В |
| Максимально допустимый ток стока | 100 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 2.8 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | PG-TDSON-8 |
| Технология | OptiMOS™ 3 |
Информация для заказа
- Цена: 2 000 ₴