
Транзистор N-MOSFET ONSEMI BS170, 60 В, 500 мА, TO92, комплект 60 шт.
2 200 ₴
- В наличии
- Код: TM035139
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI BS170 — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения. Товар поставляется комплектом из 60 штук в корпусе TO92 для монтажа на плату.
- Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Максимальное напряжение сток-исток: 60 В
- Ток стока: 0,5 А (постоянный), 1,2 А (импульсный)
- Рассеиваемая мощность: 0,83 Вт
- Корпус: TO92, монтаж THT
- Комплектация: 60 шт.
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 60 В и постоянный ток стока 0,5 А. В импульсном режиме допустимый ток возрастает до 1,2 А, а максимальная рассеиваемая мощность составляет 0,83 Вт. Напряжение затвор-исток ограничено ±20 В, что определяет безопасные пределы управления прибором.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе TO92 с технологией DMOS. Сопротивление в состоянии проводимости составляет 5 Ом. Монтаж: THT (выводной).
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.83 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 60 В |
| Максимально допустимый ток стока | 0.5 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 5000 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 60 шт. |
| Корпус | TO92 |
| Технология | DMOS |
Информация для заказа
- Цена: 2 200 ₴
