Транзистор IGBT BASiC SEMICONDUCTOR BGH50N65HF1, 650 В, 50 А, TO247-3 (комплект 2 шт.)

Транзистор типа IGBT от бренда BASiC SEMICONDUCTOR, модель BGH50N65HF1. В комплект входят 2 единицы в корпусе TO247-3 с монтажом THT.

• Напряжение коллектор-эмиттер: 650 В
• Ток коллектора: 50 А (постоянный), 200 А (импульсный)
• Рассеиваемая мощность: 357 Вт
• Корпус: TO247-3, монтаж THT
• Интегрированный диод SiC SBD
• Комплектация: 2 шт.

Электрические параметры

Транзистор рассчитан на напряжение коллектор-эмиттер 650 В и постоянный ток коллектора 50 А. В импульсном режиме допустимый ток коллектора составляет 200 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 357 Вт.

Быстродействие и управление

Время включения транзистора равно 54 нс, а время выключения — 256 нс, что обеспечивает быстрое переключение состояний. Напряжение управления затвором составляет ±20 В, а общий заряд затвора — 308 нКл.

Технология и конструкция

Компонент изготовлен по технологии Field Stop, Trench и содержит интегрированный диод Шоттки на карбиде кремния (SiC SBD). Компонент имеет интегрированный антипараллельный диод. Монтаж выполняется методом выводов в отверстия (THT) в корпусе TO247-3.