Транзистор NPN Infineon BFP640H6327XTSA1, SOT343, RF, 42 ГГц, 50 шт.
2 190 ₴
- В наличии
- Код: TM035122
Транзистор NPN Infineon BFP640H6327XTSA1, SOT343, RF, 42 ГГц, 50 шт.В наличии
2 190 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор NPN Infineon BFP640H6327XTSA1 — это биполярный RF-компонент в корпусе SOT343, выполненный по технологии SiGe:C. Комплект состоит из 50 штук, предназначенных для поверхностного монтажа (SMD).
- Тип транзистора: NPN, биполярный
- Корпус: SOT343, монтаж SMD
- Технология: SiGe:C
- Максимальная частота: 42 ГГц
- Напряжение коллектор-эмиттер: 4,1 В
- Ток коллектора: 50 мА
- Мощность рассеивания: 0,2 Вт
- Количество в комплекте: 50 шт.
Электрические параметры
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер составляет 4,1 В, а ток коллектора — 50 мА. Мощность рассеивания равна 0,2 Вт. Коэффициент усиления (hFE) находится в диапазоне 110...270.
Высокочастотные характеристики
Транзистор относится к типу RF и поддерживает рабочую частоту 42 ГГц. Технология изготовления SiGe:C используется для создания высокочастотных биполярных транзисторов.
Комплектация
Упаковка содержит 50 транзисторов в корпусе SOT343.
Характеристики
| Основные атрибуты | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Тип | Корпус |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 50 шт. |
| Корпус | SOT343 |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.2 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 4.1 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 0.05 А |
| Технология | SiGe:C |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Биполярный |
Информация для заказа
- Цена: 2 190 ₴