Транзистор NPN Infineon BCR503E6327HTSA1, SOT23, 50 В, 0,5 А (набор 50 шт.)

Транзистор NPN Infineon BCR503E6327HTSA1 — это биполярный транзистор со встроенным резистором (BRT) в корпусе SOT23. Предназначен для поверхностного монтажа (SMD).

• Тип транзистора: NPN, биполярный, BRT
• Корпус: SOT23, монтаж SMD
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 50 В
• Максимальный ток коллектора: 0,5 А
• Мощность рассеивания: 0,33 Вт
• Встроенные резисторы базы и эмиттер-база: 2,2 кОм
• Частота перехода: 100 МГц
• Количество в наборе: 50 шт.

Технические параметры

Транзистор работает с напряжением коллектор-эмиттер до 50 В и током коллектора до 0,5 А. Мощность рассеивания составляет 0,33 Вт. Частота перехода fT равна 100 МГц.

Встроенные резисторы

Модель BCR503E6327HTSA1 является транзистором типа BRT (Bias Resistor Transistor), что означает наличие встроенных резисторов. Сопротивление резистора базы и резистора эмиттер-база составляет 2,2 кОм. Резисторы интегрированы в компонент.

Комплектация

Товар поставляется набором из 50 транзисторов.