Транзистор ONSEMI BC858CLT1G — это биполярный полупроводниковый прибор структуры PNP в корпусе SOT23. Комплект состоит из 300 штук, предназначенных для поверхностного монтажа (SMD).
- Тип транзистора: PNP, биполярный
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 30 В
- Ток коллектора: 0,1 А
- Мощность рассеивания: 0,225 Вт
- Граничная частота: 100 МГц
- Корпус: SOT23 (TO236AB), монтаж SMD
- Количество в комплекте: 300 шт.
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение коллектор-эмиттер 30 В и ток коллектора 0,1 А. Мощность рассеивания составляет 0,225 Вт.
Частотные характеристики
Прибор имеет граничную частоту 100 МГц. Коэффициент усиления по току (hFE) находится в диапазоне 420...800.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе SOT23 (TO236AB), который является стандартом для поверхностного монтажа (SMD).
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.225 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 30 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 0.1 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Биполярный |
| Дополнительные характеристики | |
| Граничная частота передачи | 100 МГц |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 300 шт. |
| Корпус | SOT23, TO236AB |
Информация для заказа
- Цена: 2 230 ₴

