Транзистор ONSEMI BC858ALT1G — это биполярный полупроводниковый прибор структуры PNP в корпусе SOT23 (TO236AB). Комплект состоит из 200 единиц, предназначенных для поверхностного монтажа (SMD).
- Тип транзистора: PNP, биполярный
- Корпус: SOT23 (TO236AB), монтаж SMD
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 30 В
- Ток коллектора: 0,1 А
- Мощность рассеивания: 0,225 Вт
- Граничная частота: 100 МГц
- Количество в комплекте: 200 шт.
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение коллектор-эмиттер 30 В и ток коллектора 0,1 А. Мощность рассеивания составляет 0,225 Вт, что соответствует стандартным требованиям для компонентов в корпусе SOT23. Коэффициент усиления по току (hFE) находится в диапазоне 125...250.
Монтаж и корпус
Компонент выполнен в корпусе SOT23, также известном как TO236AB, и предназначен для технологии поверхностного монтажа (SMD). Это позволяет использовать транзистор в компактных устройствах с высокой плотностью размещения элементов на плате.
Частотные характеристики
Граничная частота транзистора составляет 100 МГц. Эта характеристика определяет верхнюю границу рабочего диапазона частот, в котором прибор сохраняет свои усилительные свойства.
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.225 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 30 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 0.1 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Биполярный |
| Дополнительные характеристики | |
| Граничная частота передачи | 100 МГц |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 200 шт. |
| Корпус | SOT23, TO236AB |
- Цена: 1 950 ₴

