Транзистор ONSEMI BC857CLT1G — это биполярный полупроводниковый прибор структуры PNP в корпусе SOT23 (TO236AB). Товар поставляется комплектом из 150 штук, что удобно для массового монтажа электронных схем.
- Тип структуры: PNP
- Напряжение коллектор-эмиттер: 45 В
- Ток коллектора: 0,1 А
- Мощность рассеивания: 0,225 Вт
- Корпус: SOT23 (TO236AB)
- Количество в наборе: 150 шт.
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение коллектор-эмиттер 45 В и ток коллектора 0,1 А. Мощность рассеивания составляет 0,225 Вт, что соответствует возможностям малогабаритного корпуса для поверхностного монтажа.
Частотные характеристики
Верхняя граничная частота прибора равна 100 МГц. Этот параметр определяет диапазон работы транзистора в высокочастотных схемах, где важна скорость переключения или усиления сигнала.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в стандартном корпусе SOT23 (TO236AB) для технологии SMD. Такое исполнение позволяет размещать транзисторы на печатных платах с высокой плотностью монтажа.
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.225 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 45 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 0.1 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Биполярный |
| Дополнительные характеристики | |
| Граничная частота передачи | 100 МГц |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 150 шт. |
| Корпус | SOT23, TO236AB |
- Цена: 2 420 ₴

