Транзистор ONSEMI BC856BWT1G, PNP, 65 В, 0,1 А, SOT323 (200 шт.)

Транзистор ONSEMI BC856BWT1G — это биполярный компонент структуры PNP в корпусе SOT323 (SC70). Комплект состоит из 200 единиц, что удобно для массового монтажа на печатных платах.

• Тип структуры: PNP
• Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 65 В
• Максимально допустимый ток коллектора: 0,1 А
• Максимальная мощность рассеивания: 0,15 Вт
• Граничная частота передачи: 100 МГц
• Корпус: SC70, SOT323
• Количество в комплекте: 200 шт.

Электрические параметры

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер составляет 65 В, а максимально допустимый ток коллектора — 0,1 А. Максимальная мощность рассеивания ограничена значением 0,15 Вт, что соответствует малосигнальному режиму работы. Граничная частота передачи равна 100 МГц, что определяет рабочий диапазон устройства.

Корпус и монтаж

Компонент выполнен в поверхностном корпусе SC70, который также обозначается как SOT323. Такой тип монтажа (SMD) позволяет размещать транзисторы на высокоплотных печатных платах без использования отверстий для выводов.

Транзистор предназначен для инженеров и радиолюбителей, выполняющих монтаж электронных схем. Пакет из 200 штук обеспечивает необходимое количество компонентов для серийного производства или учебных проектов.