
Транзистор NPN ONSEMI BC850CLT1G, SOT23, 45В, 0,1А (комплект 200 шт.)
1 960 ₴
- В наличии
- Код: TM071836
Транзистор NPN ONSEMI BC850CLT1G — это биполярный полупроводниковый прибор в корпусе SOT23 (TO236AB), предназначенный для поверхностного монтажа (SMD). Комплект состоит из 200 единиц, что обеспечивает необходимое количество компонентов для серийного производства или ремонтных работ.
- Тип транзистора: NPN, биполярный
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 45 В
- Ток коллектора: 0,1 А
- Мощность рассеивания: 0,225 Вт
- Корпус: SOT23 (TO236AB), монтаж SMD
- Граничная частота: 100 МГц
- Количество в комплекте: 200 шт.
Электрические параметры
Транзистор имеет максимальное напряжение коллектор-эмиттер 45 В и ток коллектора 0,1 А. Мощность рассеивания составляет 0,225 Вт, что соответствует ограничениям для малогабаритных корпусов SOT23. Коэффициент усиления по току (hFE) находится в диапазоне 420...800.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в стандартном корпусе SOT23, также известном как TO236AB. Такой формат предполагает поверхностный монтаж (SMD), что позволяет размещать транзисторы на печатных платах с высокой плотностью компонентов.
Частотные характеристики
Граничная частота перехода составляет 100 МГц. Этот параметр определяет верхнюю границу частотного диапазона, в котором транзистор может эффективно работать как усилительный или ключевой элемент.
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.225 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 45 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 0.1 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Биполярный |
| Дополнительные характеристики | |
| Граничная частота передачи | 100 МГц |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 200 шт. |
| Корпус | SOT23, TO236AB |
- Цена: 1 960 ₴
