Транзистор ONSEMI BC848CDW1T1G — это биполярный компонент типа NPN x2 в корпусе SMD. Комплект состоит из 90 единиц, предназначенных для монтажа на поверхность платы.
- Тип транзистора: NPN x2 (двойной)
- Напряжение коллектор-эмиттер: 30 В
- Ток коллектора: 0,1 А
- Мощность рассеивания: 0,38 Вт
- Корпус: SC70-6, SC88, SOT363 (SMD)
- Количество в комплекте: 90 шт.
Технические характеристики
Компонент имеет напряжение коллектор-эмиттер 30 В и максимальный ток коллектора 0,1 А. Мощность рассеивания составляет 0,38 Вт, что соответствует маломощным применениям. Коэффициент усиления по току (hFE) находится в диапазоне 420...800.
Корпус и монтаж
Транзистор выполнен в корпусах SC70-6, SC88 или SOT363. Это поверхностный монтаж (SMD), который обеспечивает компактность узла. Максимальная рабочая частота составляет 100 МГц.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.38 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 30 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 0.1 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Биполярный |
| Дополнительные характеристики | |
| Граничная частота передачи | 100 МГц |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 90 шт. |
| Корпус | SC70-6, SC88, SOT363 |
Информация для заказа
- Цена: 2 060 ₴

