Транзистор ONSEMI BC846BWT1G, NPN, 65 В, 0,1 А, SOT323 (комплект 200 шт.)
2 270 ₴
- В наличии
- Код: TM071756
Транзистор ONSEMI BC846BWT1G, NPN, 65 В, 0,1 А, SOT323 (комплект 200 шт.)В наличии
2 270 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор ONSEMI BC846BWT1G — это биполярный полупроводниковый прибор структуры NPN в компактном корпусе SOT323. Комплект состоит из 200 единиц.
- Тип: биполярный транзистор структуры NPN
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 65 В
- Ток коллектора: 0,1 А
- Рассеиваемая мощность: 0,15 Вт
- Корпус: SC70 (SOT323), монтаж SMD
- Граничная частота: 100 МГц
- Количество в комплекте: 200 шт.
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение коллектор-эмиттер 65 В и ток коллектора 0,1 А. Рассеиваемая мощность составляет 0,15 Вт, что соответствует ограничениям малогабаритного корпуса. Коэффициент усиления по току (hFE) находится в диапазоне 200...450.
Монтаж и корпус
Компонент выполнен в корпусе SC70 (SOT323) для поверхностного монтажа (SMD).
Частотные характеристики
Граничная частота перехода составляет 100 МГц.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.15 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 65 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 0.1 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Биполярный |
| Дополнительные характеристики | |
| Граничная частота передачи | 100 МГц |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 200 шт. |
| Корпус | SC70, SOT323 |
Информация для заказа
- Цена: 2 270 ₴