Корзина
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- интернет магазин
Корзина

Транзистор NPN/PNP ONSEMI BC846BPDW1T1G, комплементарная пара, SOT363, 90 шт.

1 990 ₴

  • В наличии
  • Код: TM071751
Транзистор NPN/PNP ONSEMI BC846BPDW1T1G, комплементарная пара, SOT363, 90 шт.
Транзистор NPN/PNP ONSEMI BC846BPDW1T1G, комплементарная пара, SOT363, 90 шт.В наличии
1 990 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

Комплект из 90 биполярных транзисторов ONSEMI BC846BPDW1T1G в корпусе SOT363. Это комплементарная пара NPN/PNP с напряжением коллектор-эмиттер 65 В и током коллектора 0,1 А.

  • Комплект из 90 транзисторов
  • Комплементарная пара NPN/PNP
  • Напряжение коллектор-эмиттер 65 В
  • Ток коллектора 0,1 А
  • Корпус SOT363 (SC70-6, SC88)
  • Монтаж SMD
  • Граничная частота 100 МГц

Комплементарная пара NPN/PNP

Транзистор BC846BPDW1T1G является комплементарной парой, объединяющей структуры NPN и PNP в одном корпусе. Это биполярный транзистор, объединяющий структуры NPN и PNP в одном корпусе.

Технические параметры

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер составляет 65 В, а допустимый ток коллектора — 0,1 А. Коэффициент усиления по току (hFE) находится в диапазоне 200...475. Мощность рассеивания ограничена значением 0,38 Вт, что характерно для малогабаритных компонентов.

Корпус и монтаж

Компонент выполнен в поверхностном корпусе SOT363 (также известном как SC70-6 или SC88). Монтаж осуществляется по технологии SMD. Максимальная граничная частота составляет 100 МГц.

Характеристики
Основные
ПроизводительON Semiconductor
Максимальная мощность рассеивания0.38 Вт
Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер65 В
Максимально допустимый ток коллектора0.1 А
Тип монтажаПоверхностный
Тип транзистораБиполярный
Дополнительные характеристики
Граничная частота передачи100 МГц
Пользовательские характеристики
Количество в комплекте90 шт.
КорпусSC70-6, SC88, SOT363
Информация для заказа
  • Цена: 1 990 ₴