Транзистор ONSEMI BC846BM3T5G — это биполярный полупроводниковый прибор структуры NPN в компактном корпусе SOT723. Товар поставляется набором из 150 штук, что удобно для массового монтажа на печатных платах.
- Тип транзистора: NPN, биполярный
- Корпус: SOT723, монтаж SMD
- Напряжение коллектор-эмиттер: 65 В
- Ток коллектора: 0,1 А
- Коэффициент усиления: 200...450
- Количество в наборе: 150 шт.
Технические параметры
Прибор имеет максимальное напряжение коллектор-эмиттер 65 В и ток коллектора 0,1 А. Коэффициент усиления по току (hFE) составляет 200...450, что определяет его способность управлять нагрузкой. Частота перехода fT равна 100 МГц, что указывает на возможности работы в высокочастотных схемах.
Монтаж и корпус
Транзистор выполнен для поверхностного монтажа (SMD) в корпусе SOT723. Такое исполнение позволяет размещать компоненты на одной стороне платы, экономя место и упрощая автоматизированный монтаж.
Рассеиваемая мощность
Максимальная рассеиваемая мощность составляет 0,265/0,64 Вт. Этот параметр определяет тепловой режим работы транзистора и необходимость учета отвода тепла при проектировании схемы.
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 65 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 0.1 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Биполярный |
| Дополнительные характеристики | |
| Граничная частота передачи | 100 МГц |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 150 шт. |
| Корпус | SOT723 |
- Цена: 2 220 ₴

