Транзистор ONSEMI BC817-16LT1G NPN, SOT23, 45В, 0,5А (комплект 200 шт.)
2 270 ₴
- В наличии
- Код: TM071713
Транзистор ONSEMI BC817-16LT1G NPN, SOT23, 45В, 0,5А (комплект 200 шт.)В наличии
2 270 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор ONSEMI BC817-16LT1G — это биполярный полупроводниковый прибор структуры NPN в корпусе SOT23. Комплект состоит из 200 единиц.
- Тип транзистора: NPN, биполярный
- Корпус: SOT23 (TO236AB), монтаж SMD
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 45 В
- Ток коллектора: 0,5 А
- Рассеиваемая мощность: 0,225 Вт
- Количество в комплекте: 200 шт.
Технические параметры
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение коллектор-эмиттер 45 В и ток коллектора 0,5 А. Рассеиваемая мощность составляет 0,225 Вт. Коэффициент усиления по току (hFE) находится в диапазоне 100...250.
Монтаж и корпус
Компонент выполнен в корпусе SOT23 (TO236AB) для поверхностного монтажа (SMD). Частота перехода составляет 100 МГц.
Комплектация
В упаковке содержится 200 транзисторов BC817-16LT1G.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.225 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 45 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 0.5 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Биполярный |
| Дополнительные характеристики | |
| Граничная частота передачи | 100 МГц |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 200 шт. |
| Корпус | SOT23, TO236AB |
Информация для заказа
- Цена: 2 270 ₴