Диод Шоттки BASiC SEMICONDUCTOR B2D20120HC1, SiC, 1200 В, 10 А, TO247-3 (5 шт.)

Диод Шоттки BASiC SEMICONDUCTOR B2D20120HC1 — это полупроводниковый компонент на основе карбида кремния (SiC) в корпусе TO247-3. Предназначен для высоковольтных силовых схем, где важны низкие потери и высокая надежность. В комплекте поставляется 5 штук.

• Технология SiC для высокой эффективности
• Максимальное напряжение 1,2 кВ
• Ток 10 А x2 (двойная структура)
• Корпус TO247-3 для THT монтажа
• Комплект из 5 штук

Высокое напряжение и ток

Диод рассчитан на максимальное обратное напряжение 1,2 кВ и прямой ток 10 А на каждую из двух структур (общий максимальный ток 20 А). Это позволяет использовать компонент в сетевых выпрямителях и инверторах с высокими параметрами нагрузки.

Технология SiC

Использование технологии SiC обеспечивает эффективную работу при высоких температурах и частотах. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 60 Вт, что требует качественного отвода тепла через корпус TO247-3.

Низкие потери и скорость

Прямое падение напряжения не превышает 2 В, а ток утечки минимальный — 40 мкА. Это снижает нагрев компонента во время работы и повышает общий КПД устройства.

Импульсная стойкость и структура

Диод выдерживает импульсный ток до 90 А, что обеспечивает надежность при переходных процессах. Двойная структура с общим катодом в корпусе TO247-3 позволяет заменить два отдельных компонента одним, упрощая монтаж и экономя место на плате.