
Диод Шоттки BASiC SEMICONDUCTOR B2D20120H1, SiC, 1,2 кВ, 20 А, TO247-2 (5 шт.)
2 560 ₴
- В наличии
- Код: TM071305
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Комплект из 5 диодов Шоттки BASiC SEMICONDUCTOR B2D20120H1 на основе карбида кремния (SiC). Предназначены для выпрямления тока в силовых электронных схемах с высоким напряжением до 1,2 кВ и током 20 А.
- Технология SiC для высокой эффективности
- Обратное напряжение до 1,2 кВ
- Прямой ток 20 А
- Корпус TO247-2 для монтажа THT
- Комплект из 5 диодов
Высокое напряжение и ток
Диоды выдерживают обратное напряжение до 1,2 кВ и прямой ток 20 А. Максимальный импульсный ток составляет 190 А.
Технология SiC и низкие потери
Использование карбида кремния (SiC) позволяет достичь высокой эффективности. Максимальное напряжение проводимости составляет 1,78 В, а рассеиваемая мощность — 159 Вт. Ток утечки составляет 40 мкА.
Корпус и монтаж
Компоненты выполнены в корпусе TO247-2 для монтажа через отверстия (THT).
Комплектация
Упаковка содержит 5 диодов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 159 Вт |
| Максимально допустимый прямой импульсный ток | 190 А |
| Максимальное постоянное обратное напряжение | 1200 В |
| Максимальное прямое напряжение | 1.78 В |
| Максимальный обратный ток | 40 мкА |
| Максимальный прямой ток | 20 А |
| Тип диода | Диод Шоттки |
| Дополнительные характеристики | |
| Тип монтажа | Вставной |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 5 шт. |
| Корпус | TO247-2 |
| Производитель | BASiC SEMICONDUCTOR |
| Технология | SiC |
Информация для заказа
- Цена: 2 560 ₴
