Интегральная микросхема памяти Alliance Memory AS4C8M16SA-7TCN, 128 Мбит SDRAM, TSOP54 II (2 шт.)

Интегральная микросхема памяти Alliance Memory AS4C8M16SA-7TCN — это динамическая оперативная память (DRAM) типа SDRAM объемом 128 Мбит. Компонент предназначен для поверхностного монтажа (SMD) в корпусе TSOP54 II и работает от напряжения 3,3 В.

• Объем памяти: 128 Мбит (DRAM)
• Тип памяти: SDRAM
• Рабочая частота: 143 МГц
• Время доступа: 5,4 нс
• Напряжение питания: 3,3 В
• Корпус: TSOP54 II (SMD)
• Количество в комплекте: 2 шт.

Производительность и интерфейс

Микросхема имеет организацию памяти 2Mx16bitx4 и рабочую частоту тактирования 143 МГц. Время доступа к данным составляет 5,4 нс, что определяет скорость обмена информацией с контроллером. Интерфейс передачи данных является параллельным, что типично для данного класса компонентов.

Электрические параметры

Компонент выполнен в корпусе TSOP54 II для поверхностного монтажа (SMD). Диапазон рабочих температур составляет от 0 до 70 °C. Микросхема рассчитана на стабильную работу при напряжении питания 3,3 В.

Комплектация

Внимание: товар поставляется в виде набора, содержащего 2 микросхемы памяти.