Интегральные микросхемы памяти SDRAM Alliance Memory AS4C1M16S-6TCN, 16 Мбит, TSOP50 II (5 шт.)

Микросхема памяти SDRAM от Alliance Memory объемом 16 Мбит и организацией 1Mx16bit. Компонент работает на частоте 166 МГц при напряжении 3,3 В в корпусе TSOP50 II для поверхностного монтажа (SMD). Позиция продается набором из 5 штук.

• Объем памяти: 16 Мбит
• Тип памяти: SDRAM (DRAM)
• Организация: 1Mx16bit
• Частота тактирования: 166 МГц
• Время доступа: 5,4 нс
• Рабочее напряжение: 3,3 В
• Корпус: TSOP50 II (SMD)
• Количество в комплекте: 5 шт.

Тип и объем памяти

Микросхема представляет собой динамическую память (DRAM) типа SDRAM емкостью 16 Мбит. Внутренняя структура организации памяти составляет 1Mx16bit, что определяет количество адресных линий и ширину данных. Частота тактирования 166 МГц обеспечивает скорость передачи данных, а время доступа 5,4 нс характеризует задержку при чтении информации.

Электрические параметры и интерфейс

Рабочее напряжение компонента составляет 3,3 В, что является стандартным значением для логики этого класса. Интерфейс передачи данных — параллельный. Корпус TSOP50 II предназначен для технологии поверхностного монтажа (SMD). Диапазон рабочих температур от 0 до 70 °C определяет условия эксплуатации устройства.

Комплектация

Товар поставляется как набор, содержащий 5 одинаковых микросхем памяти.